158 日韩半导体战争[第1页/共4页]

但是，微不敷道也能够进献本身的一份力量。

直到2010年之前，日本的半导体设备指数和米国费城半导体指数BB值，是评价环球半导体行业景气度的两个关头目标。

第三，举国体制，冲破财产链高低流，特别是半导体关头出产制造设备。70年代日本固然能够出产DRAM内存芯片。

三家米国公司是英特尔、德州仪器和莫斯泰克。

一共经历将近三十年。

但是。日本就以此为目标，建立了超大范围集成电路(VLSI)的技术演进途径，而当时环球支流仍处于MOS晶体管技术线路中。

第二，研发文明的抵触，特别是技术途径的分歧庞大。比如在64M进级到256M DRAM的技术攻关中，NEC夸大技术体系的同一性，要求在64M的根本上实现技术进级，而日立夸大技术的创新和冲破，要求采取新质料、新布局等新技术寻求技术冲破。NEC以为同一机能包管较高的成品率，而日立则是优先考虑用新技术带来冲破，再去研讨同一性题目。NEC夸大同一性，而日立倡导冲破性，这是两种完整分歧的研发文明，带来的思惟体例完整分歧的，这使得DRAM关头技术研发上，辩论不已、疲塌烦复，完整掉队于韩国人的研发进度。

但是，最为关头的出产制程设备和原质料首要来自米国，为了补足短板，日本人构造800名技术职员停止重点攻关，共同研制高机能的国产化DRAM出产设备，不但实现64K DRAM和256K DRAM的商用化，也实现1M DRAM商用化的关头出产制程设备。

在第二次DRAM天下大战-美日半导体战役中，日本制定了三步走的计谋：

尔必达与天朝台湾省的力晶半导体建立联盟以对抗韩国人。

由日本当局出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五至公司结合筹资400亿日元。

日本人的大获全胜，为环球半导体生长天朝家建立了一个胜利逆袭的典范。

1976年日本启动VLSI研讨项目。1976年3月经通产省、大藏省等多次协商，日本当局启动了“DRAM制法改革”国度项目。

第二，官产学三位一体，制定国度项目停止重点攻关。

研发的首要服从包含各型号电子束暴光设备，采取紫外线、X射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，获得了一系列惹人谛视标服从。

对于质料体味越多，晓得的越深切，庞煖越认识到。天朝和米国半导体产业的差异，是全方位的差异，而不是仅仅一两个环节。

至此，米国人在环球DRAM内存市场成为仅次于韩国人的存在，环球DRAM市场份额从10%晋升到25-30%。

最典范的就是英特尔，持续长达30年占有环球微措置器CPU芯片的90%以上的市场份额，持续通过科技红利投入，从286到586，从奔腾1到5等，把持环球PC和条记本市场。

这为前期美日半导体战役中，以个人军作战的体例在256K DRAM的决定性战役中一举打倒米国50家半导体联盟的战役中立下赫赫军功。

从1958年日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机，研制64K容量的MD-2A磁鼓存储器起，到1988年日本登上环球半导体DRAM内存市场霸主。

1978年日本人发明64k DRAM，其问世标记取超大范围集成电路(VLSI)期间的到临，硅片直径为100-125mm，芯片面积为26.6mm2，集成度为155000。首要技术为循环位线、折叠数据线。